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Tecnologia Samsung V-NAND | Velocidade de leitura até 3500 MB/s e escrita até 3300 MB/s | 1 TB de capacidade
Part number: MZ-V7S1T0BW EAN: 8801643628086
Estado: Novo Disponibilidade: schedule Brevemente/Encomenda
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A nova tecnologia V-NAND melhora as velocidades de leitura e escrita para alcançar o melhor desempenho.
Interface
PCIe Gen3 X4, NVMe 1.3
Form Factor
M.2 (2280)
Capacidade
1 TB
Controlador
Phoenix
NAND Flash
V-NAND 3-bit MLC
Encriptação AES
AES 256-bit Encryptation (Class 0)
Velocidade de Leitura Sequencial
Até 3500 Mb/s
Velocidade de Escrita Sequencial
Até 3300 Mb/s
Garantia
2 Anos
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